Версия для печати

Академику Гапонову Сергею Викторовичу - 80 лет!

Академик

Гапонов Сергей Викторович

Сергей Викторович Гапонов родился 5 марта 1937 года в г. Горьком.

В 1965 году окончил Горьковский политехнический институт им. А.А. Жданова.

В 1964-1978 гг. – техник, инженер, старший инженер, ведущий конструктор, начальник сектора, начальник лаборатории Горьковского института «Салют». В 1978-1992 гг. – заведующий отделом твердотельной технологии и полупроводниковых приборов, заведующий отделением физики твердого тела, директор отделения, заместитель директора Института прикладной физики РАН.

В 1993 году основал Института физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН) и был его директором по 2009 год.

Советник РАН.

Член-корреспондент c 1994 года, академик c 2008 года — Отделение физических наук РАН.

Специалист в области лазерной физики, рентгеновской оптики, физики пленок и высокотемпературной сверхпроводимости.

В области лазерной физики академиком С.В. Гапоновым разработана концепция построения импульсно-периодических лазеров, объединяющая теплофизические и оптические аспекты, включающие методы модуляции и управления излучением. В частности, предложен метод модуляции лазеров на явлениях самофокусировки и ВРМБ, это было первое практическое использование внутрирезонаторного обращения волнового фронта, хотя само определение ОВР возникло несколько позже.

Ему принадлежит ведущая роль в исследованиях взаимодействия лазерного излучения среднего диапазона интенсивности (10⁷ - 10¹⁰ Вт/см²) с веществом. В них определена роль неустойчивости фронта испарения и рекомбинационных явлений в формировании энергетического спектра плазмы, возникающей при взаимодействии лазерного импульса с мишенями. Построены физические основы импульсного лазерного распыления (абляции) и использования продуктов эрозии для модификации поверхности и напыления пленок.

В области физики твердого тела им обнаружены и исследованы явления, стимулирующие ориентированный рост пленок и связанные с облучением поверхности кристаллов потоками лазерной плазмы. Это позволило получить и экспериментально исследовать квантовые сверхрешетки (1979 г.), а в 1987 году - первыми вырастить эпитаксиальные пленки высокотемпературных сверхпроводников с предельной токонесущей способностью, на которых были получены пионерские результаты по исследованию токопереноса в сильных магнитных полях, определению энергии центров пиннинга и связи этих параметров со структурными и морфологическими особенностями.

Работы академика С.В. Гапонова с сотрудниками сыграли определяющую роль в создании многослойной рентгеновской оптики и освоении экстремального ультрафиолетового и мягкого рентгеновского диапазона длин волн, удостоенные Государственной премии. Сейчас этот коллектив является одним из мировых лидеров в области проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона длин волн (11 - 13 нм).

Он подготовил 2 доктора, 9 кандидатов наук.

Им опубликовано более 200 научных работ, получено 7 авторских свидетельств.

Академик С.В. Гапонов — член редакционного совета журнала «Нано- и микросистемная техника».

Награжден орденом Дружбы.

Лауреат Государственной премии СССР.