Страницы:   1   2   3   4   5    Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Фотолюминесценция нелегированных и легированных полупроводников типа А~IVB~VI. Совещание по физике узкозонных полупроводников. Тез. докл. , с. С.5-6   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев PbSnSe и PbSnTe. IV Всесоюз.совещ. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Труды , с. С.54-57   Шотов А.П. ,     Муминов Р.А. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Пинч-эффект в вырожденной электронно-дырочной плазме антимонида индия. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. Труды. Москва, 23-29 июля 1968 г. Т.II. , с. С.891-897   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Перестройка частоты когерентного излучения антимонида индия с помощью магнитного поля. Физ. и техн. полупровод. , Т.4(2) , с. C.337-340 , 01.1970   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Исследование полупроводниковых лазеров в качестве источников излучения для спектральных измерений. Ж. прикл. спектроскопии , Т.15,N2 , с. C.349-352 , 01.1971   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Магнитоперестраиваемое вынужденное комбинационное рассеяние в антимониде индия. Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.81-87 , 01.1971   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. С.1288-1291 , 01.1972   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Погодин В.И. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.8,N4 , с. C.732-736 , 01.1974   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe. Письма в ЖТФ , Т.1,N7 , с. C.341-343 , 01.1975   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.9,N10 , с. C.1902-1908 , 01.1975