|
Поиск атрибутный
| ![](../img/spacer.gif) |
|
|
![](../img/spacer.gif) |
Пересторонин А.В.
|
- Журкин Б.Г. , Карузский А.Л. , Пересторонин А.В. , Фрадков В.А. , Чиба М..
Обнаружение явления конденсации носителей в примесной зоне: фотолюминесценция Ge:Sb при температурах 0,5-4,2К.
32 Всероссийское совещание по физике низких температур НТ-32, Казань, 3-6 окт. 2000: Тез.докл. секции LT "Низкотемпературная Физика Твердого Тела" , с. С.170-171
- Карузский А.Л. , Горелик В.С. , Пересторонин А.В. , Свербиль П.П.
Комбинационное рассеяние и антистоксова люминесценция в GaP при т=4.2К.
Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.54
- Карузский А.Л. , Горелик В.С. , Пересторонин А.В. , Свербиль П.П.
Поляритонное комбинационное рассеяние света в фоторефрактивном кристалле LiNbO(3) при N=4.2К.
Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.55
- Карузский А.Л. , Квит А.В. , Медведев С.А. , Клевков Ю.В. , Пересторонин А.В. , Свербиль П.П.
Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К.
Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.56
- Мурзин В.Н. , Карузский А.Л. , Ельцев Ю.Ф. , Пересторонин А.В. , Дравин В.А.
Обнаружение поляритонного типа взаимодействий СВЧ-излучения с электронной подсистемой металлокосидных ВТСП.
XXXI Cовещ. по физике низких температур, 2-3 дек. 1998. Тез. докл. Москва, 1998 , с. С.252-253
- Карузский А.Л. , Горелик В.С. , Пересторонин А.В. , Свербиль П.П.
Комбинационное рассеяние света в кристаллах а-серы при гелиевых температурах.
Межд. конф."Комбинационное рассеяние", 16-19 ноября 1998 , с. С.3
- Мурзин В.Н. , Карузский А.Л. , Квит А.В. , Пересторонин А.В.
Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами.
Кратк. сообщ. по физ. , Т9-10 , с. C.3-9 , 01.1994
- Мурзин В.Н. , Митягин Ю.А. , Стоклицкий С.А. , Пересторонин А.В. , Расулова Г.К. , Монемар Б.. , Хольц П.О. , Сингх М..
Оптическое наблюдение формирования электрополевого домена в GaAs/AlGaAs сверхрешетке n~+-i-n~+-типа с широкими квантовыми ямами.
Письма в ЖЭТФ , Т.61,N5 , с. C.399-404 , 01.1995
- Мурзин В.Н. , Митягин Ю.А. , Карузский А.Л. , Алещенко Ю.А. , Мельник Н.Н. , Квит А.В. , Пересторонин А.В.
Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям.
Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996
- Мурзин В.Н. , Журкин Б.Г. , Митягин Ю.А. , Карузский А.Л. , Мельник Н.Н. , Цикунов А.В. , Пересторонин А.В. , Богонин И.А. , Волчков Н.А. , Орликовский А.А. , Свербиль П.П. , Ткаченко С.Д.
Исследование алмазоподобных покрытий, полученных методом лазерного импульсного распыления графита в высоком вакууме.
Микроэлектроника , Т.25,N3 , с. C.203-210 , 01.1996
|
|