Страницы:   1   2    Журкин Б.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Пересторонин А.В. ,     Фрадков В.А. ,     Чиба М.. Обнаружение явления конденсации носителей в примесной зоне: фотолюминесценция Ge:Sb при температурах 0,5-4,2К. 32 Всероссийское совещание по физике низких температур НТ-32, Казань, 3-6 окт. 2000: Тез.докл. секции LT "Низкотемпературная Физика Твердого Тела" , с. С.170-171   Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Комбинационное рассеяние и антистоксова люминесценция в GaP при т=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.54   Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Поляритонное комбинационное рассеяние света в фоторефрактивном кристалле LiNbO(3) при N=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.55   Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Медведев С.А. ,     Клевков Ю.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Исследование глубоких примесных центров в ZNTe методом оптической спектроскопии вторичного излучения при Т=4.2К. Межд. конф."Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах, г.Ульяновск, 1999 , с. С.56   Мурзин В.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Ельцев Ю.Ф. ,     Пересторонин А.В. ,     Дравин В.А. Обнаружение поляритонного типа взаимодействий СВЧ-излучения с электронной подсистемой металлокосидных ВТСП. XXXI Cовещ. по физике низких температур, 2-3 дек. 1998. Тез. докл. Москва, 1998 , с. С.252-253   Карузский А.Л. ,     Горелик В.С. ,     Пересторонин А.В. ,     Свербиль П.П. Комбинационное рассеяние света в кристаллах а-серы при гелиевых температурах. Межд. конф."Комбинационное рассеяние", 16-19 ноября 1998 , с. С.3   Мурзин В.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами. Кратк. сообщ. по физ. , Т9-10 , с. C.3-9 , 01.1994   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Стоклицкий С.А. ,     Пересторонин А.В. ,     Расулова Г.К. ,     Монемар Б.. ,     Хольц П.О. ,     Сингх М.. Оптическое наблюдение формирования электрополевого домена в GaAs/AlGaAs сверхрешетке n~+-i-n~+-типа с широкими квантовыми ямами. Письма в ЖЭТФ , Т.61,N5 , с. C.399-404 , 01.1995   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В. Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям. Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996   Мурзин В.Н. ,     Журкин Б.Г. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Мельник Н.Н. ,     Цикунов А.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Богонин И.А. ,     Волчков Н.А. ,     Орликовский А.А. ,     Свербиль П.П. ,     Ткаченко С.Д. Исследование алмазоподобных покрытий, полученных методом лазерного импульсного распыления графита в высоком вакууме. Микроэлектроника , Т.25,N3 , с. C.203-210 , 01.1996