Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21    Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Чиковани Р.И. ,     Елисеев П.Г. ,     Бычкова Л.П. ,     Сагинури М.И. Анализ факторов влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1-xSn_xSe. Квант. электрон. , Т.9,N11 , с. C.2140-2150 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Крюков П.В. О калибровке диодных лазерных спектрометров. Измерит. техн. , N10 , с. C.25-26 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Крюков П.В. ,     Кузнецов А.И. ,     Перов А.Н. ,     Степанов Е.В. Стабилизация температурного режима перестраиваемого диодного лазера с точностью 10~-5 К. Письма в ЖТФ , Т.8,N19 , с. C.1168-1171 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Свистов А.Е. Энергетические уровни нестехиометрических дефектов в n-Pb_1-xSn_xSe(0<=x<=0.37). Физ. и техн. полупровод. , Т.16,N6 , с. C.1108-1111 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Синятынский А.А. Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbS_1-xSe_x. Физ. и техн. полупровод. , Т.16,N12 , с. C.2187-2190 , 01.1982   Астахов В.И. ,     Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Перов А.Н. ,     Галактионов В.В. ,     Тищенко А.Ю. ,     Трофимов В.Т. ,     Хаттатов В.У. Трассовый измеритель концентрации окиси углерода в атмосфере на основе импульсных диодных лазеров. Квант. электрон. , Т.9,N3 , с. C.531-536 , 01.1982   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Максимов М.Х. Изменение подвижности свободных носителей в PbGeTe n-типа при сегнетоэлектрическом фазовом переходе. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. C.45-50 , 01.1983   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Надеждинский А.И. ,     Степанов Е.В. ,     Тищенко А.Ю. Применение диодных лазеров для обнаружения в газовых смесях компонент с высокой плотностью спектральных линий. Кратк. сообщ. по физ. , N9 , с. C.13-17 , 01.1983   Шотов А.П. ,     Синятынский А.А. PbS_1-xSe_x лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии. Письма в ЖТФ , Т.9,N14 , с. C.881-884 , 01.1983   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Курицын Ю.А. ,     Апатин В.М. ,     Кривцун В.М. ,     Макаров Г.Н. ,     Пак И. Диодная спектроскопия молекул SF_6, охлажденных в импульсной струе, при ИК многофотонном возбуждении. Письма в ЖЭТФ , Т.37,N8 , с. C.365-368 , 01.1983