Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21    Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Влияние магнитного поля на спонтанное когерентное излучение p-n переходов в PbSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. С.1288-1291 , 01.1972   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Королев Ю.Н. ,     Чижевский Е.Г. Электрические свойства кристаллов Pb_1-xSn_xSe, выращенных из паровой фазы. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N8 , с. C.1508-1513 , 01.1972   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Лихтер А.И. ,     Пель Э.Г. Перестройка частоты излучения инжекционных лазеров на основе PBSe при гидростатическом давлении. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N11 , с. C.2206-2210 , 01.1972   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. Сдвиг линии излучения инжекционных лазеров на основе InSb при увеличении концентрации акцепторных примесей. Кратк. сообщ. по физ. , N7 , с. C.33-36 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. О роли легких дырок в рекомбинационном излучении и электропроводности чистых кристаллов InSb при низких температурах. Письма в ЖЭТФ , Т.17,N7 , с. C.328-332 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Лихтер А.И. ,     Пель Э.Г. Установка для оптических исследований полупроводников под давлением до 10 кбар при 77 К. Приборы и техн. эксперим. , N2 , с. C.203-205 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. Особенности излучательной рекомбинации в чистых кристаллах InSb при низких температурах. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N4 , с. C.707-710 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С. Определение эффективной массы дырок в кристаллах PbSnSe из измерений эффекта Нернста-Эттингсгаузена. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N4 , с. C.822-824 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Афанасьева Е.А. ,     Ибрахимов Н. О рекомбинации неравновесных носителей заряда в p-PbSnSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N6 , с. C.1133-1140 , 01.1973   Шотов А.П. ,     Леонов Ю.С. ,     Веселаго В.Г. ,     Глушков М.В. Горячие носители тока в германии в сильном магнитном поле. Тр.ФИАН , Т.67 , с. С.78-102 , 01.1973