Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Шотов А.П.

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21 


  1.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Генерация когерентного излучения в электронно-дырочной плазме антимонида индия. Физ. тверд. тела , Т.8,N8 , с. C.2496-2497 , 01.1966

  2.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Пинч-эффект в вырожденной плазме в продольном и поперечном магнитных полях. ЖЭТФ , Т.52,N1 , с. C.71-78 , 01.1967

  3.   Шотов А.П. ,     Мурашов М.С.
    Рекомбинационное излучение сильно легированного германия. Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N4 , с. C.573-586 , 01.1967

  4.   Шотов А.П. ,     Муминов Р.А. ,     Миргаловская М.С. ,     Раухман М.Р.
    Когерентное излучение в кристаллах антимонида индия с тянутым p-n переходом. Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N9 , с. C.1432-1434 , 01.1967

  5.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Муминов Р.А.
    Когерентное излучение электронно-дырочной плазмы антимонида индия при отсутствии магнитного поля. Письма в ЖЭТФ , Т.6,N10 , с. C.895-898 , 01.1967

  6.   Шотов А.П. ,     Леонов Ю.С. ,     Веселаго В.Г. ,     Глушков М.В.
    Влияние сильного магнитного поля на разогрев носителей в р-германии. Физ. и техн. полупровод. , Т.3,N10 , с. C.1580-1583 , 01.1969

  7.   Шотов А.П. ,     Бойко И.И. ,     Владимиров В.В.
    Рекомбинационное излучение при пинч-эффекте в условиях сильного вырождения электронного газа. ЖЭТФ , Т.57,N2 , с. C.567-573 , 01.1969

  8.   Шотов А.П. ,     Багаев В.С. ,     Прошко Г.П.
    Инфракрасное поглощение в сильно легированн германии. Физ. тверд. тела , Т.4,N11 , с. C.3228-3235 , 01.1962

  9. О. Н. Крохин ,     Шотов А.П. ,     Вул Б.М. ,     Багаев В.С. ,     Басов Н.Г. ,     Копыловский Б.Д. ,     Маркин Е.П. ,     Попов Ю.М. ,     Хвощев А.Н.
    Полупроводниковый квантовый генератор на p-n-переходе в GaAs. Докл. АН СССР , Т.150,N2 , с. C.275-278 , 01.1963

  10.   Шотов А.П. ,     Леонов Ю.С. ,     Веселаго В.Г. ,     Глушков М.В.
    Влияние анизотропии эффективных масс на эффективную температуру в полупроводнике. Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.30-36 , 01.1970



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007