Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Шотов А.П.

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21 


  1.   Шотов А.П. ,     Мурашов М.С. ,     Иванов В.Н.
    Низкотемпературная излучательная рекомбинация чистого германия в условиях генерации нормальных акустических волн. ЖЭТФ , Т.70,N3 , с. C.1009-1026 , 01.1976

  2.   Шотов А.П. ,     Чижевский Е.Г. ,     Даварашвили О.И.
    Легирование индием полупроводников с узкой запрещенной зоной. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. C.14-16 , 01.1976

  3.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Бабушкин А.В.
    Фотопроводность полупроводниковых слоев Pb_1-xSn_xSe и Pb_1-xSn_xTe, легированных йодом. Кратк. сообщ. по физ. , N4 , с. С.17-20 , 01.1976

  4.   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Тактакишвили М.С.
    Определение эффективных масс носителей в кристаллах методом измерения термомагнитных эффектов PbSnSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N7 , с. C.1361-1364 , 01.1976

  5.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И.
    Эпитаксиальные слои Pb_1-xSn_xTe и Pb_1-xSn_xSe. Изв. АН СССР. Неорган. материалы , Т.13,N4 , с. C.610-612 , 01.1977

  6.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В.
    Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(0<=x<=1). Письма в ЖТФ , Т.3,N2 , с. C.77-80 , 01.1977

  7.   Шотов А.П. ,     Николаев И.Н. ,     Потапов В.П. ,     Юракевич Е.Е.
    Нарушение симметрии локального окружения атомов олова в кристаллической решетке Pb_1-xSn_xTe.. Письма в ЖЭТФ , Т.25,N , с. C.185-187 , 01.1977

  8.   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Жоховец С.В.
    О сегнетоэлектрической природе фазового перехода в Pb1-хGexTe. Кратк. сообщ. по физ. , N6 , с. C.34-39 , 01.1977

  9.   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н.
    Определение параметров зонной структуры полупроводников Pb_1-xSn_xSe из измерений эффекта Шубникова-де-Гааза. Физ. и техн. полупровод. , Т.11,N1 , с. C.162-167 , 01.1977

  10.   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Моисеенко В.Н. ,     Вяткин К.В.
    Измерение коэффициента анизотропии поверхности Ферми в полупроводниках Pb_1-xSn_xSe. Физ. и техн. полупровод. , T.11,N9 , с. C.1831-1834 , 01.1977



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007