Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21    Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ,     Синятынский А.А. Инжекционные лазеры с двойной гетероструктурой на основе Pb_1-xSn_xSe, изготовленные методом молекулярной эпитаксии. Письма в ЖТФ , Т.6,N16 , с. C.983-986 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. ДГС лазеры на основе Pb_1-xSn_xSe, работающие в непрерывном режиме при 80 К. Письма в ЖТФ , Т.6,N19 , с. C.1199-1202 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Пелевин О.В. ,     Гейман К.И. ,     Матвеенко А.В. ,     Абрютина Т.П. ,     Николаева М.И. Влияние примесей на фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe(х*О,2). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N5 , с. C.949-956 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Вяткин К.В. Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbSe. Физ. и техн. полупровод. , Т.14,N7 , с. C.1331-1334 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Шмытько И.М. ,     Иванов В.И. ,     Шехтман В.Ш. Структурные переходы в системе Pb_1-xSn_xSe в интервале 4.2-300 К. Физ. тверд. тела , Т.22,N5 , с. C.1384-1387 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Гришечкина С.П. ,     Жоховец С.В. Сегнетоэлектрические константы узкощелевых полупроводников типа А~IV В~VI. Физ. тверд. тела , Т.22,N8 , с. C.2516-2518 , 01.1980   Шотов А.П. ,     Виноградов В.С. ,     Воронова И.Д. ,     Рагимова Т.Ш. Модель флуктуационного примесного потенциала. Описание фотоэлектрических и гальваномагнитных явлений в Pb_1-xSn_xTe с примесью In. Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N2 , с. C.361-368 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Свистов А.Е. Энергетические уровни собственных дефектов в кристаллах Pb_1-xSn_xSe n-типа. Физ. и техн. полупровод. , N5 , с. C.890-896 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Кучеренко И.В. ,     Свистов А.Е. Исследование формы поверхности Ферми по угловой зависимости эффекта Шубникова-де Гааза в кристаллах Pb_1-xSn_xSe(x>0.3). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2111-2115 , 01.1981   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. Зависимость продольной и поперечной компонент g-фактора носителей тока от ширины запрещенной зоны твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(0<=x<"примерно"3) и Pb_1-x_Sn_x_Se(0<=x<"примерно"0.08). Физ. и техн. полупровод. , Т.15,N11 , с. C.2269-2272 , 01.1981